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10.3969/j.issn.1004-4507.2019.04.007

离子束溅射镀膜设备及工艺技术研究

引用
利用离子束溅射镀膜设备研究了溅射SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(离子束能量、离子束流、氧气流量和靶基距)之间的关系以及薄膜均匀性修正技术.实验结果表明:SiO2薄膜沉积速率随着离子束能量与离子束流增加而增大,随着氧气流量的增加先减小后增大;采用修正板技术后薄膜均匀性明显提高.

离子束溅射、SiO2薄膜、沉积速率、均匀性

48

TN305.8(半导体技术)

2019-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

25-28

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

48

2019,48(4)

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