针对20 μm及以下间距的微凸块工艺缺陷检测的研究方法

摘要：

随着3D 硅通孔(TSV)器件封装技术进入产量提升阶段,3D 堆叠工艺集成流程的表征变得至关重要.为了达到更高的互连密度,微凸块间距的尺寸已经缩小到20 μm 甚至更小.为了实现芯片与芯片以及芯片与晶圆的垂直堆叠,微凸块工艺控制必需具备高精度以及良好的重复性(见图1)[1].

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-15,36