原子层沉积系统在氮化铝AlN薄膜工艺中的应用

摘要：

介绍了原子层沉积系统(ALD)的原理、结构,以及它和不同薄膜生长设备相比所具有的特点.分析了影响ALD设备工艺性能的主要因素.在此基础上,采用等离子增强型ALD技术在硅片上制备AlN薄膜,并测试分析了薄膜的成分和表面平整度,满足工艺要求.

关键词：原子层沉积、前驱体、电流崩塌

所属期刊栏目：45

分类号：TN451(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-23