氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势

摘要：

综述了半导体材料氮化镓(GaN)抛光技术的发展,介绍了GaN晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

关键词：GaN晶片、化学机械抛光、抛光工艺

所属期刊栏目：45

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2016-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：10-14