硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析

摘要：

介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理.建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对PtSi的影响.结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流I∞,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效.

关键词：硅微波双极晶体管、介质击穿/隧穿、等离子体充电效应、等离子体损伤、PtSi合金

所属期刊栏目：44

分类号：TN305;TN405(半导体技术)

在线出版日期：2015-10-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-22