10.3969/j.issn.1004-4507.2007.01.012
CMP加工过程中均匀去除率的研究
半导体制造技术已经达到了亚微米技术水平,CMP(chemical mechanical planarization)化学机械抛光是IC制造工艺中进行全局平坦化唯一的途径,分析了针对大直径晶圆进行全局平坦化,达到面型精度和表面完整性的要求而采取的区域压力控制技术.
全局平坦化、化学机械抛光、抛光头、区域压力控制
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TN305.2(半导体技术)
2007-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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