10.3969/j.issn.1004-4507.2006.11.003
45nm工艺及材料的最新动态
介绍了45 nm芯片、工艺和设备的最新动态.英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45 nm功能芯片.45 nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等.光刻工艺采用193 nm ArF/浸没式光刻机.45 nm工艺中应变硅技术已步入第三代,它综合采用双应力衬垫、应力记忆和嵌入SiGe层.
45nm芯片、45nm工艺、45nm设备、应变硅技术
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TN40(微电子学、集成电路(IC))
2006-12-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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