CMP抛光运动机理研究

摘要：

通过对硅晶片化学机械抛光过程中抛光运动机理的理论分析,研究了硅晶片的抛光运动特性,探讨了主要工艺参数对硅晶片化学机械抛光后晶片表面粗糙度和表面平整度、抛光均匀性的影响规律.

关键词：化学机械抛光、粗糙度、平整度、抛光运动、片内非均匀性、片间非均匀性

所属期刊栏目：34

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2005-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：37-41