可实现铜及低k技术等离子去胶工艺的湿法清洗技术

摘要：

用一种顺流微波等离子干法除胶设备开发出了一种享有专利的等离子工艺,该工艺可满足后道工序中铜及低k材料应用中密集和渗透性低k介电材料的抗蚀剂除胶要求.最终结果显示等离子各向同性除胶工艺与其他等离子化学方法相比,在很大程度上可对介电材料的损伤率降到最小,且能实现除胶后的湿法清洗.首先介绍并讨论了在涂覆抗蚀剂片子上得到的综合工艺特征数据.这些数据包括抗蚀剂去胶速率、低k膜厚度损失及折射指数变化、除胶选择性、k值变化、FTIR光谱以及FDS和SIMS分析结果.在有图形的片子上得到的扫描电镜检查结果显示了在等离子去胶和随后的湿法清洗后的清洁度、良好的图形轮廓和图形结构的关键尺寸保持情况.并介绍了评价器件性能的电性能测试和可靠性数据.此外还讨论了等离子工艺在铜表面清洗的有效性.

关键词：湿法清洗、等离子、工艺、铜/低k技术

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.97(半导体技术)

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-22