10.3969/j.issn.1004-4507.2004.06.006
微电子器件制备中CMP抛光技术与抛光液的研究
介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15~20 nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液,用于介质CMP的120 nm水溶胶磨料抛光液、互连插塞钨和铝的CMP纳米SiO2磨料碱性抛光液及ULSI硅衬底CMP抛光液及切削液、磨削液、倒角液和应力控制技术等研究成果.
CMP、碱性抛光液、水溶胶、应力
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TN305.2(半导体技术)
2004-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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