用于130 nm/90 nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统

摘要：

通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比.实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方.这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料.如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料.介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比.

关键词：新工艺术开发、铜CMP、磨料系统、选择比、去除速率

所属期刊栏目：32

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：22-25