等离子体与氧杂碳化硅低介电常数隔离膜的相互作用

摘要：

为了进一步降低高级器件堆叠中铜连接线的电容延迟性,我们开发了一种先进的氧杂碳化硅隔离膜(O-SiC),其介电常数为3.5,能非常有效地阻止铜的扩散.如所期望的那样,O-SiC膜可用作蚀刻和CMP的终止盖层,即需要在集成过程中防止各种等离子化学的辐射.我们检测了等离子灰化化学:O2/H2/N2,H2/N2和H2/He等离子体与O-SiC膜的相互作用,测定了膜受到的等离子损伤并检测了化学结构的变化.此外,在薄膜受到这些等离子体的辐射之后,测定了其电学性质,如泄漏电流、介电常数和介质击穿电压.结果显示,H2/He等离子灰化化学可以有效应用于O-SiC薄膜,而不会造成薄膜的关键特性退化.

关键词：氧杂碳化硅、等离子体灰化低介电材料、等离子体引起的低介电薄膜损伤

所属期刊栏目：32

分类号：TN405.95(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2003-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：75-78