关于多孔MSQ Dual Damascene蚀刻/灰化工艺--为更低损伤和更低k值的多方面损伤评价和化学性质优化

摘要：

对铜(Cu)互连系统使用低k值材料时,应解决的许多相关问题不仅有技术问题,而且有所有权成本(CoO)/质量合格(CoC)问题.从蚀刻和灰化(去除)工艺的角度报道了几种问题的解决方法.对蚀刻工艺,将在此推荐Via 1st的Duo248TM方法(Duo248TM是Honeywell公司的材料,包含US专利#6,268,457).对于灰化工艺,建议混合灰化工艺(Hybrid Ashing),即蚀刻和灰化工艺在同一反应室连续进行.这些方法的目标将是65 nm以下工艺.

关键词：Dual Damascene、低k值、Duo、混合灰化工艺、SCCM

所属期刊栏目：32

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：67-72