10.3969/j.issn.1004-4507.2000.04.011
365~193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制
综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差,采用光刻模拟程序计算.采用顶层和底层抗反射涂层与否,对从365nm曝光的0.40μm到193nm曝光的0.225μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算.
光学光刻、模拟、多晶硅、抗反射涂层
29
TN305.7(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
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10.3969/j.issn.1004-4507.2000.04.011
光学光刻、模拟、多晶硅、抗反射涂层
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TN305.7(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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