GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究

摘要：

创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分别为500 mV/60 ns,1 210 mV/60 ns.上述研究建立起GaN器件-全GaN基电路的T-CAD/SPICE单粒子效应协同设计方法.

关键词：GaN辐照效应、GaNLDO、抗辐照加固、p型栅GaN器件

所属期刊栏目：24

分类号：TN307(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金6202780115

在线出版日期：2024-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：61-67