GaN薄膜的太赫兹光谱响应研究

摘要：

目前,太赫兹时域光谱(THz-TDS)已经成为研究固体光学参数及色散关系的有效工具.采用太赫兹时域光谱仪对纤锌矿结构GaN薄膜在0～8.0 THz范围内的吸收光谱、介电常数、折射率以及介电损耗等进行了研究.研究结果表明,频率为4.65 THz的太赫兹响应是由GaN的E2(low)声子振动模式主导的,获得的低频介电常数8.9和高频介电常数6.0与理论值接近;进一步研究了频率在4.24～4.40 THz之间的太赫兹介电常数响应谱,获得的GaN薄膜的中心振动频率与太赫兹吸收光谱一致,介电损耗值很小且逐渐趋近于0,表明GaN有良好的介电特性.得出的结论拓展了 GaN基电子元器件在THz波段中的应用,对进一步研究GaN基电子元器件在THz波段的质量与可靠性具有借鉴意义.

关键词：太赫兹时域光谱、GaN薄膜、光学性质

所属期刊栏目：24

分类号：TN304;O484.1(半导体技术)

在线出版日期：2024-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：56-60