10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0005
ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等.经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现.针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间等相关参数的实验验证,得到背圈形成的原因及异常背圈产生的原因.晶圆经900 ℃烘烤60s就会形成背圈,这是外延过程中的正常现象,但是不规则的背圈通常伴随着其他外延工艺参数的同步变差,异常背圈可以通过调整工艺参数、设备滑片、跳片以及更换石墨件来解决.
硅外延缺陷、背圈、晶圆背圈、ASM E2000外延炉
24
TN304.0(半导体技术)
2024-01-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
51-55