基于Innovus的局部高密度布局规避方法

摘要：

标准单元布局是数字集成电路后端设计的重要环节之一,标准单元密度过高影响着工具的布线和时序的优化.采用UMC 28 nm工艺,基于Innovus的两种方法,解决由于局部高密度标准单元导致保持时间违例无法通过工具自动化修复的问题,在实现时序优化的同时降低了动态IRDrop.结果表明,在PreCTS阶段设置setPlaceMode-place_global_max_density value对于后续时序优化 效果更好,且动态IRDrop降低8.85％.

关键词：数字后端设计、Innovus、局部高密度标准单元、时序优化

所属期刊栏目：24

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2024-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44