端口双向耐高压电路的ESD防护设计技术

摘要：

随着CMOS工艺的快速发展,集成电路多电源域设计越来越普遍,电路全芯片ESD设计也越来越复杂.介绍了一款基于0.35 μmCMOS工艺的32路抗辐射总线接口电路的ESD设计技术.同时,对双向耐高压输入管脚的ESD进行加固设计,提高了芯片的抗ESD能力.抗辐射32路总线接口电路通过了 4.0 kV人体模型ESD测试,测试结果验证了该设计的有效性.

关键词：双向耐高压、人体模型、多电源域、全芯片ESD

所属期刊栏目：24

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2024-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：35-39