基于微纳科研平台工艺验证的微米级标准CMOS关键工艺仿真

摘要：

基于微纳科研平台工艺验证的微米级CMOS标准工艺,采用TCAD仿真了场注入、沟道调节注入、衬底偏置电压以及接触金属类型对MOSFET器件性能的影响,进而对CMOS工艺中的器件关键工艺进行优化设计,为科研平台微纳工艺流片提供指导.仿真结果表明,N+场注入能量大于60keV时对PMOS的阈值电压影响显著,P+场注入能量在30～50 keV时对NMOS阈值电压影响显著;PMOS沟道调节的剂量影响器件的电流开关比和亚阈值摆幅,其剂量不应超过2.1×1012cm-2;场注入剂量在1013cm-2时,硅局部氧化(LOCOS)隔离特性达到最优,此时LOCOS的击穿电压为32.5 V;当钛夹层的厚度为120nm时,可将铝与衬底接触电阻的数量级从102降低至101.

关键词：CMOS工艺、半导体器件、TCAD仿真

所属期刊栏目：23

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2023-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：64-70