光电晶体管反向击穿特性研究

摘要：

由于特殊的应用场景,光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异,在器件设计时需要兼顾各项参数的影响.通过理论及仿真计算结合实验流片,归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素,包括掺杂浓度、结深以及放大倍数等,进而提出了可以提升光电晶体管耐压的工艺改进措施,实现了发射极反向击穿电压提高约20％,集电极-发射极反向击穿电压超过400 V.

关键词：光电晶体管、反向击穿、掺杂浓度、放大倍数

所属期刊栏目：23

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2023-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：76-79