28nm工艺触发器中能质子单粒子效应研究

摘要：

基于采取不同加固措施的28 nm体硅CMOS工艺的触发器链,开展了中能质子对纳米级电路单粒子翻转(SEU)效应影响的研究.选取20 MeV、40 MeV、60MeV以及100MeV质子对电路进行辐照,得到相关的SEU截面,结果显示,随着入射质子能量的增加,SEU截面增加,并在60MeV质子能量点附近达到饱和,翻转截面接近8×10-14 cm-2/bit.对采取了不同加固方法的触发器链的试验数据进行分析对比,可以看到,单独的版图加固措施只能稍微降低翻转率;DICE结构可以将翻转截面降低一个数量级,电路面积增加一倍左右;时间冗余延迟+DICE的方法基本可以使电路不发生翻转,但电路面积大大增加且造成一定的延迟.

关键词：辐射效应、单粒子翻转、中能质子、触发器

所属期刊栏目：23

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：72-75