塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价

摘要：

腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、C1离子摩尔分数以及电位密切相关.针对NiPdAgAu预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响.将样品置于质量分数分别为0.5％、2.0％与5.0％的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24h,再进行96h的高加速应力试验.结果表明,采用质量分数为5.0％的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚.

关键词：腐蚀、铜丝键合、预镀框架、电位

所属期刊栏目：23

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-06-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6