基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术

摘要：

在外延层和衬底之间增加缓冲层能够提高器件的二次击穿电压,从而提高器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压.仿真对比了抗辐射加固纵向扩散金属氧化物场效应管(VDMOS)的单层缓冲层和掺杂线性梯度变化缓冲层的二次击穿特性和电场分布.在掺杂突变的缓冲层/N+衬底界面位置,线性缓冲层的电场为1.7×105 V/cm,单层缓冲层的电场为2.4×105 V/cm.181Ta粒子辐射试验验证了掺杂线性梯度变化缓冲层的SEB阈值电压优于单层缓冲层,线性缓冲层样品的SEB阈值电压大于250 V,单层缓冲层样品的SEB阈值电压为150～200 V.

关键词：功率VDMOS、SEB、缓冲层、抗辐射加固

所属期刊栏目：23

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2023-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：69-74