应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计

摘要：

自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM)以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一.然而,由于磁性隧道结(MTJ)的温度相关性,其隧穿磁阻率(TMR)在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求.基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器.在-40～125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50％时仍具有较高的灵敏度,保证了 STT-MRAM的读可靠性.

关键词：自旋转移矩磁性随机存储器、2T-2MTJ、高可靠性、灵敏放大器

所属期刊栏目：23

分类号：TN492(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：60-64