一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法

摘要：

在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难,而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展.硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段,现有技术中对于应用于CMOS图像传感器件封装的圆台硅通孔,采用的是在顶部不断横向刻蚀的方式实现的,不利于封装密度的提高,且对于光刻设备的分辨率有一定的要求.针对现有技术中的问题,一种严格控制横向刻蚀尺寸(仅占原始特征尺寸的3％～12％)的圆台硅通孔刻蚀方法被研究探索出来.该方法通过调节下电极功率(≤30W),获得了侧壁角度可调(70°～88°)、通孔底部开口尺寸小于光刻定义特征尺寸的圆台硅通孔结构.这一方法有望向三维集成电路领域推广,有助于在封装阶段延续摩尔定律.

关键词：先进封装、圆台硅通孔、等离子刻蚀法

所属期刊栏目：23

分类号：TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：116-121