基于硅基扇出(eSiFO®)技术的先进指纹传感器晶圆级封装工艺开发

摘要：

传统的晶圆级芯片封装(WLCSP)是一种标准的扇入式封装结构.随着I/O数的增加,无法为重布线层(RDL)提供足够的区域.近年来,在芯片周围形成扇出区域的嵌入式封装技术发展起来,其具有I/O数目高、成本低、集成灵活、体积小等优点.晶圆扇出型封装(FOWLP)通常采用环氧塑封复合料(EMC),其面临翘曲、各层热膨胀系数(CTE)不匹配、成本高昂等难题.报道了一种全新的晶圆级嵌入式硅基扇出技术,名为eSiFO?,其用于实现电容式指纹传感器封装.在这个创新的集成器件中,一个5.6 mm×1.0 mm的ASIC芯片被减薄到90μm,然后嵌入到硅基槽中重建一个新的晶圆.在整个工艺过程中,金属的覆盖面积达80％以上,但晶圆的翘曲小于2mm.整个晶圆级封装工艺使用了 10个掩模版,其产品良率达到98％.该产品通过了包括预处理测试、温度循环(TCT)测试、高加速温湿度应力试验(u-HAST)和高温贮存试验(HTST)在内的标准可靠性测试.

关键词：晶圆级封装、扇出、eSiFO®、指纹传感器、高可靠性

所属期刊栏目：23

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2023-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：105-115