先进封装铜-铜直接键合技术的研究进展

摘要：

在后摩尔时代,先进三维封装技术成为实现电子产品集成化、小型化的重要出路.应用于封装互连的传统无铅锡基钎料由于存在金属间化合物脆性、电迁移失效、制备工艺限制等问题,已不再适用于窄间距、小尺寸的封装.金属铜的电阻率低、抗电迁移性能好,其工艺制备尺寸可减小到微米级且无坍塌现象.铜-铜(Cu-Cu)直接互连结构可以实现精密制备以及在高电流密度下服役.对Cu-Cu键合材料的选择、键合工艺的特点及服役可靠性的相关研究进展进行了总结.

关键词：Cu-Cu直接键合、先进电子封装、表面处理、键合工艺

所属期刊栏目：23

分类号：TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：广东省基础与应用基础研究基金2022A1515011485

在线出版日期：2023-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：54-64