高压SiC MOSFET研究现状与展望

摘要：

碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为宽禁带半导体单极型功率器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大的研究价值.回顾了高压SiC MOSFET器件的发展历程和前沿技术进展,总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构,介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状,对高压SiC MOSFET器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论.

关键词：SiC、MOSFET、品质因数、终端结构

所属期刊栏目：23

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2023-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：109-120