宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻

摘要：

碳化硅(SiC)宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一.绝缘栅双极晶体管(IGBT)是全控型的复合器件,具有工作频率高、开关损耗低、电流密度大等优点,是高压大功率变换器中的关键器件之一.但SiC IGBT存在导通电阻高、关断损耗大等缺点.针对上述挑战,对国内外现有的新型SiC IGBT结构进行了总结.分析了现有的结构特点,结合新能源电力系统的发展趋势,对SiC IGBT的结构改进进行了归纳和展望.

关键词：碳化硅、双极型、导通电阻、关断损耗

所属期刊栏目：23

分类号：TN323+.4;TN386.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金12142406

在线出版日期：2023-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：83-95