氧化镓材料与功率器件的研究进展

摘要：

氧化镓(Ga2O3)以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军.相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低,在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力.对Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结,展望了 Ga2O3在未来的应用与发展前景.

关键词：Ga2O3、外延材料、功率二极管、功率晶体管

所属期刊栏目：23

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2023-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：63-70