GaN垂直结构器件结终端设计

摘要：

得益于优异的材料性能,基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的功率电子器件得到广泛关注.与横向的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构相比,垂直结构的GaN功率器件更易于实现高耐压和大电流,且其不被表面陷阱态影响,性能较为稳定,有望进一步拓展在中高压领域的应用.在垂直器件中,一个重要的设计是利用结终端来扩展器件内部电场的分布,减轻或消除结边缘的电场集聚效应,防止功率器件的过早击穿.结合GaN垂直结构肖特基二极管(SBD)以及PN结二极管(PND),回顾了常用的结终端设计方法和工艺技术,对各自的优缺点进行了总结.此外,GaN的材料性能与传统硅(Si)以及碳化硅(SiC)材料存在较大差异,讨论了其对结终端设计和制备的影响.

关键词：宽禁带半导体、氮化镓、垂直结构器件、二极管、结终端

所属期刊栏目：23

分类号：TN312+.4(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2022YFB3604302

在线出版日期：2023-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：40-51