4H-SiC基FinFET器件的单粒子瞬态效应研究

摘要：

深入分析新结构、新材料的单粒子瞬态(SET)效应机理是开展抗辐射加固设计的基础和前提.基于Si基14 nm SOI FinFET器件,构建了 4H-SiC基的SET仿真模型.对比分析了不同Fin材料、不同粒子能量对4H-SiC基FinFET器件SET的影响机理.结果表明,与Si材料相比,4H-SiC材料具有宽禁带的特点和较高的复合率,在高能粒子入射时形成的SET脉冲更小,其瞬态电流峰值及收集电荷量相对Si材料分别下降了 79.64％和83.35％,且随着粒子能量的增加,两者与Si材料的差值均呈幂指数增加.

关键词：单粒子瞬态、FinFET器件、4H-SiC、抗辐射

所属期刊栏目：22

分类号：TN406;TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：68-73