Ku波段200W GaN功率放大器的设计与实现

摘要：

研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器,功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行功率合成,总栅宽为38.4 mm.以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据,采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计.该GaN功率放大器在14.5～15.0GHz频率范围内的输出功率(Pout)大于200W,功率增益(Gp)大于7dB,最高功率附加效率(ηPAE)达到43％.

关键词：Ku波段、GaN、大功率、功率放大器

所属期刊栏目：22

分类号：TN325+.3(半导体技术)

在线出版日期：2022-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-62