增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展

摘要：

考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著.目前有许多方法可以实现增强型GaN HEMT器件,如使用p型栅技术、凹栅结构、共源共栅(Cascode)结构、氟离子处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等.分别对使用以上方法制备的增强型GaN HEMT器件进行了综述,并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结,探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向.

关键词：GaN HEMT器件、凹栅结构、p-GaN、薄势垒

所属期刊栏目：22

分类号：TN323+.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金62004151

在线出版日期：2022-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：66-75