10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1015
-种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计
为满足高速、高精度射频电路的要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源.为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压.利用双极型晶体管基极-发射极电压VBE的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂.电路基于180nmBiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证.在-40~85℃温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10-6/℃,电源电压抑制比可达到-88dB.
曲率补偿、低温漂、带隙基准、双极型晶体管
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TN433(微电子学、集成电路(IC))
2022-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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