10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1011
基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路
基于2 μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路,并内置了死区时间控制电路,该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件.工作电压范围为5~35 V,传输上升延迟时间不大于25ns,下降延迟时间不大于32ns,上升、下降建立时间不超过12ns,工作电流不超过45mA.
功率栅驱动电路、延迟时间、死区时间控制
22
TN495(微电子学、集成电路(IC))
2022-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
56-60