一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究

摘要：

基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOILIGBT).分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻.测试结果表明,该器件的耐压达到816V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm2.

关键词：介质场增强理论、横向绝缘栅双极型晶体管、线性变掺杂技术、超结、击穿电压、比导通电阻

所属期刊栏目：22

分类号：TN323+.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;广东省自然科学基金

在线出版日期：2022-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：74-79