一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT

摘要：

提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT),并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真.提出的超结RC-IGBT通过超结的P柱将集电极N+区域与P+区域隔开,消除了传统超结RC-IGBT正向导通时存在的折回现象.与传统超结RC-IGBT结构相比,在导通电流密度为100A/cm2时,新结构的正向导通压降减少了 20.9％,反向导通压降减少了 20.7％,在相同正向导通压降(1.55V)下,新结构的关断损耗降低了 19.9％.

关键词：逆导、超结、电压折回、IGBT、导通压降、关断损耗

所属期刊栏目：22

分类号：TN303(半导体技术)

在线出版日期：2022-10-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：64-68