沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究

摘要：

空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件.对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力.

关键词：功率晶体管、沟槽型VDMOS、MOSFET、单粒子烧毁、单粒子栅穿

所属期刊栏目：22

分类号：TN386.6(半导体技术)

在线出版日期：2022-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：70-73