10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0715
辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响
基于0.18 μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了 60Co(315 keV)与X射线(40keV)辐照源对LVNMOS器件总剂量特性的影响.研究结果表明,在相同偏置条件下,60Co与X射线两种辐照源对MOS器件的辐射电离效应具有一定的差异性,前者同时具有康普顿效应和光电效应,后者是光电效应,主要是光子与内层电子作用.由LVNMOS总剂量辐照特性推测,X射线辐照源引起LVNMOS的SiO2层中产生的电子与空穴高于60Co.
总剂量辐射电离、阈值电压、60Co、X射线
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TN306;V520.6(半导体技术)
国家自然科学基金;江苏省自然科学基金面上项目
2022-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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