200 mm硅外延片时间雾的产生机理及管控方法研究

摘要：

针对硅外延加工过程及所处环境,研究了 200mm硅外延片时间雾产生的原因,分析了环境湿度、外延反应前后排外能力以及洁净厂房环境阳离子浓度等影响因素,提出了硅外延反应副产物氯化氢(HC1)和环境中的阳离子是导致硅外延片表面产生时间雾的主要原因.通过增强硅外延设备排外能力降低环境中的阳离子浓度,可有效降低时间雾产生的概率.

关键词：硅外延、时间雾、环境阳离子、载片腔、氯化氢

所属期刊栏目：22

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2022-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：49-52