10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0702
片上SRAM物理不可克隆函数特性优化设计
业内常用静态随机存储器(SRAM)物理不可克隆函数(PUF)通过片上SRAM上电初始状态的固有物理特性生成系统安全密钥.但在系统不能充分掉电的情况下,片上集成SRAM上电后保持了上次掉电前的状态,无法生成固有的物理特性密钥.提出了一种在系统不能充分掉电情况下的电源控制电路,确保SRAM单元充分掉电,从而保证片上SRAM上电初始状态的物理特性.
静态随机存储器、物理不可克隆函数、上下电控制
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TN303(半导体技术)
2022-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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