基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法

摘要：

UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险.基于线性能量传输(LET)等效机理,选取7Li3+、19F9、35Cl11,14+、48Ti10,15+、74Ge11,20+、127I15,25+、181Ta、209Bi 8种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁(SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法.结合LET通量及FinFET结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控.所涉及的单粒子效应(SEE)分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性.

关键词：FinFET、SRAM型FPGA、单粒子效应、多位翻转、抗辐照测试

所属期刊栏目：22

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7-12