高功率芯片封装材料烧结纳米银的尺寸效应

摘要：

以SiC、GaN等新材料制备的宽禁带半导体功率器件具有耐高温、高频等优异性能,将逐步取代低效的Si半导体材料.随着宽禁带半导体电子元器件在航空、航天以及新能源汽车等领域的应用,功率芯片高密度、高功率的发展趋势将导致新一代电子封装材料面临大电流、高温服役的极端环境,这对电子器件的寿命以及封装材料提出了新的挑战.

机标关键词：高功率、尺寸效应、纳米银、功率芯片、封装材料、芯片封装

所属期刊栏目：22

分类号：TN405.94;TN248;TN305.94

在线出版日期：2022-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：封3