全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介

摘要：

随着半导体技术节点微缩到3 nm及以下,晶体管的尺寸难以进一步缩小,导致了成本优势的减小.功能性和功耗成为物联网、可穿戴设备、汽车电子等应用的主要关注点,为满足这些需求,全耗尽绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon on Insulator,FDSOI)技术被进一步研发和产品化.对FDSOI技术的特点和生态环境进行了总结.FDSOI利用体偏置平衡功耗与性能,采用应力优化提高迁移率,通过减薄硅膜厚度抑制短沟道效应并减小寄生电容,因此被应用到低功耗处理器、低噪声放大器、嵌入式存储器等低功耗产品.FDSOI具有巨大的市场潜力,将成为半导体技术一个重要的发展方向.

关键词：全耗尽绝缘层上硅、超薄埋氧、体偏置

所属期刊栏目：22

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：77-85