X波段小型封装GaN功率放大器设计

摘要：

基于GaN功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一款X波段小型管壳封装的功率放大器.通过合理排布电路结构,实现了封装尺寸的小型化.由于器件功率密度不断提升,散热问题不容忽视,通过对不同材料的管壳底座进行热仿真分析,模拟芯片的温度分布,根据仿真结果选定底座材料为钼铜Mo70Cu30,利用红外热成像仪测试芯片结温为107.83℃,满足Ⅰ级降额要求.最终设计的功率放大器尺寸为18.03 mm×8.70 mm×3.03 mm,在28 V工作电压脉冲测试条件下,9.3-9.5GHz频带内饱和输出功率大于46dBm,功率附加效率大于36％,功率增益大于24.5 dB,电性能测试结果全部满足技术指标要求.

关键词：GaN功率放大器、小型封装、热仿真分析、电性能测试

所属期刊栏目：22

分类号：TN305.94(半导体技术)

在线出版日期：2022-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：33-38