轨道交通碳化硅器件研究进展

摘要：

随着轨道交通硅基功率器件性能逐渐逼近理论极限,碳化硅功率器件成为重点研究方向,以满足轨道交通系统对高功率密度、低损耗和高可靠性等要求.综述了轨道交通领域碳化硅MOSFET和SBD的芯片、混合碳化硅模块和全碳化硅模块的发展概况,并展望了碳化硅芯片和模块的技术发展趋势.介绍了碳化硅MOSFET芯片向沟槽栅、集成SBD和提升可靠性和迁移率等方向发展的趋势.全碳化硅器件、低杂散电感结构、低热阻基板和高可靠性烧结层的研究对碳化硅模块的发展至关重要.

关键词：轨道交通、碳化硅、MOSFET、全碳化硅模块

所属期刊栏目：22

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2022-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共14页

页码：13-26