SiC功率器件辐照效应研究进展

摘要：

SiC功率器件是许多航天器用电子设备的重要组成部分,是保障深空探测任务顺利进行的前提和基础.在梳理SiC功率器件发展概况的同时,针对不同SiC功率器件(SiC SBD、SiC JBS、SiC MOSFET)在空间辐射环境下的性能退化规律进行了概述,重点分析了辐射环境下SiC功率器件的损伤机理,为SiC功率器件抗辐射技术的长远发展提供了参考.

关键词：SiC功率器件、肖特基势垒二极管、结势垒肖特基二极管、MOSFET、空间辐射效应、损伤机理

所属期刊栏目：22

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1-12