碳化硅器件封装进展综述及展望

摘要：

碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界击穿场强大、热导率高、高压、高温、高频等优点.应用于硅基器件的传统封装方式寄生电感参数较大,难以匹配SiC器件的快速开关特性,同时在高温工况下封装可靠性大幅降低,为充分发挥SiC器件的优势需要改进现有的封装技术.针对上述挑战,对国内外现有的低寄生电感封装方式进行了总结.分析了现有的高温封装技术,结合新能源电力系统的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望.

关键词：SiC、低寄生电感、混合封装、3D封装、平面互连、双面散热、高温封装

所属期刊栏目：22

分类号：TN431(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国网科技项目5500-202158495A-0-5-ZN

在线出版日期：2022-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：10-16